Datasheet下载- 型号： FDI33N25TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDI33N25TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDI33N25TU价格参考。Fairchild SemiconductorFDI33N25TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDI33N25TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDI33N25TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDI33N25TU是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），广泛应用于中高功率开关场景。其额定电压为250V，连续漏极电流可达33A，具备低导通电阻和优良的开关特性，适合高效能、高频率的工作环境。 该器件典型应用场景包括：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动以及电源管理模块等。在工业电源系统中，常用于功率因数校正（PFC）电路或主开关拓扑结构，提升整体转换效率。此外，因其封装形式（如TO-220）便于散热，也适用于对热性能要求较高的设备。 FDI33N25TU还常见于消费类电器（如空调、洗衣机）和照明系统（如LED驱动电源），支持高可靠性运行。由于其具备雪崩能量保护和抗瞬态能力强的特点，在面临电压波动或负载突变时仍能保持稳定，提升了系统的安全性与耐用性。 综上，FDI33N25TU凭借高电流承载能力、低损耗和稳健的性能，广泛服务于工业控制、家电、电源适配器及绿色能源等领域，是一款成熟可靠的中高压功率MOSFET解决方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDI33N25TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UniFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2135pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 94 毫欧 @ 16.5A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 235W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 33A （Tc） |
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