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- 型号： FDFS2P103A
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDFS2P103A由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDFS2P103A价格参考。Fairchild SemiconductorFDFS2P103A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDFS2P103A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDFS2P103A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDFS2P103A 是安森美（ON Semiconductor）推出的双N沟道逻辑电平增强型MOSFET（实际为单个封装内集成两个独立N沟道MOSFET，但产品分类中归为“MOSFET - 单个”系指单芯片/单器件，非单管芯；需注意其Dual-N结构）。该器件采用SO-8封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值15mΩ @ Vgs=10V）、高开关速度、100%雪崩额定能力及强鲁棒性。 主要应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），尤其适用于笔记本电脑、服务器VRM、GPU供电等中高功率（10–30A级）多相电源模块； 2. 负载开关与电源管理：在主板、显卡、SSD等设备中作为高效、快速响应的电源通断控制开关； 3. 电机驱动：适用于小功率有刷直流电机或步进电机的H桥驱动中的低侧开关； 4. LED驱动与热插拔电路：凭借低导通损耗和ESD保护（符合HBM 2kV），适用于LED背光驱动及板级热插拔保护设计。 其逻辑电平兼容性（Vgs(th)低至1–2V）支持3.3V/5V MCU直接驱动，简化驱动电路；SO-8封装利于PCB布局与散热。需注意：虽标为“单个”，实为双N沟道共源极结构（两独立栅极），常用于半桥或并联增强电流能力，设计时应关注交叉导通防护与PCB热管理。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDFS2P103A |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 535pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 59 毫欧 @ 5.3A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | FDFS2P103ADKR |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.3A （Ta） |
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