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- 型号： FDFMA2P859T
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDFMA2P859T由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDFMA2P859T价格参考。Fairchild SemiconductorFDFMA2P859T封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDFMA2P859T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDFMA2P859T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDFMA2P859T 是安森美（onsemi）推出的 P 沟道增强型 MOSFET，采用紧凑的 FlatLead 封装（类似 SO-8 但无引脚、底部散热焊盘），典型参数：VDS = –60 V，ID = –8.5 A（TC = 100°C），RDS(on) ≈ 32 mΩ（VGS = –10 V）。 其主要应用场景包括： ✅ 电源管理：用于 DC-DC 转换器（如同步降压电路）中的高边或低边开关，尤其适合中等功率负载开关； ✅ 负载开关（Load Switch）：在便携设备（如平板、笔记本、工业控制板）中实现电源域的可控上电/断电，具备低导通电阻与快速开关特性，可减少功耗与电压跌落； ✅ 电机驱动：适用于小型直流有刷电机的 H 桥反向控制或单路制动/使能控制（配合 N 沟道器件使用）； ✅ 电池保护与充放电管理：在锂电池保护板或电源路径管理（Power Path）中用作充放电回路的反向阻断开关（利用其体二极管方向与低 RDS(on)）； ✅ 工业与汽车电子辅助系统：符合 AEC-Q101 认证（该型号为车规级版本），可用于车载照明控制、传感器电源开关、ECU 中的局部供电管理等对可靠性要求较高的场景。 其 FlatLead 封装利于热传导与 PCB 布局紧凑化，适合空间受限且需一定散热能力的应用。注意设计时需合理配置栅极驱动（避免振荡）并考虑体二极管反向恢复特性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDFMA2P859T |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 435pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 120 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 6-MicroFET（2x2） |
| 其它名称 | FDFMA2P859TDKR |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Ta） |
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