Datasheet下载- 型号： FDFC2P100
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDFC2P100由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDFC2P100价格参考。Fairchild SemiconductorFDFC2P100封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDFC2P100参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDFC2P100 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDFC2P100 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款 P 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 TrenchFET® 技术，具有低导通电阻（RDS(on) 典型值 100 mΩ @ VGS = –10 V）、快速开关特性及高雪崩耐量。其封装为小型 SOT-23（3引脚），适合空间受限的便携式设计。 典型应用场景包括： ✅ 电池保护电路：用于锂离子/聚合物电池组的充放电保护IC外围，实现过放、过流时的快速关断（P-MOSFET常作高侧或充电路径开关）； ✅ 负载开关（Load Switch）：在智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中，控制外设电源的启停，降低待机功耗； ✅ DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）转换器中作为同步整流管（尤其在低压输入、小电流场合），提升效率； ✅ 反向电压/极性保护：串联于电源输入端，防止电源反接损坏后级电路； ✅ LED驱动与背光控制：用于中小电流LED调光或区域背光开关（如OLED显示模组）。 该器件额定电压–20 V，连续漏极电流–1.7 A（TA=25°C），具备ESD防护（HBM >2 kV），适用于便携式消费电子、物联网终端、工业传感器节点等对尺寸、能效和可靠性要求较高的场景。需注意其栅极阈值电压（VGS(th) ≈ –0.5 V 至 –1.5 V），在低驱动电压（如1.8 V/3.3 V逻辑）下需确保充分增强导通，必要时选用逻辑电平兼容型号或加驱动电路。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3A SSOT-6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDFC2P100 |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 445pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 150 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 6-SSOT |
| 其它名称 | FDFC2P100DKR |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Ta） |
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