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- 型号： FDD6N50FTF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD6N50FTF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD6N50FTF价格参考。Fairchild SemiconductorFDD6N50FTF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDD6N50FTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD6N50FTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD6N50FTF 是安森美（onsemi）推出的N沟道增强型高压功率MOSFET，采用TO-220F封装（带绝缘法兰），额定参数为：VDS = 500 V，ID（连续）= 6 A，RDS(on) ≈ 1.4 Ω（典型值，VGS = 10 V），具备快速开关特性和雪崩耐量。 其典型应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源中的主开关管或PFC（功率因数校正）升压开关； ✅ 电机控制：用于中小功率直流无刷电机（BLDC）驱动、风扇/泵类家电的H桥或半桥驱动电路； ✅ 工业控制与电源模块：如PLC输出级、继电器替代、DC-DC隔离式转换器（如反激、正激拓扑）的初级侧开关； ✅ 照明系统：高压LED恒流驱动、智能调光电源中的高频斩波开关； ✅ 消费电子：大功率快充协议中的高压侧同步整流辅助开关或次级侧控制开关（需配合驱动IC）。 该器件具有低栅极电荷（Qg ≈ 22 nC）、良好的dv/dt抗扰性及内置ESD保护，适合中频（~100 kHz以内）高效率、高可靠性应用。TO-220F封装便于散热且满足电气隔离要求，常用于需加强绝缘或紧凑布局的设计中。 注意：实际使用时需合理设计驱动电路（推荐VGS ≥ 10 V以确保充分导通）、提供足够散热（结温≤150℃），并考虑米勒效应引起的误导通风险。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDD6N50FTF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UniFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 960pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19.8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.15 欧姆 @ 2.75A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | FDD6N50FTFDKR |
| 功率-最大值 | 89W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.5A （Tc） |
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