Datasheet下载- 型号： FDD6N20TF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD6N20TF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD6N20TF价格参考。Fairchild SemiconductorFDD6N20TF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDD6N20TF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD6N20TF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD6N20TF 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型MOSFET，采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，额定电压200V，连续漏极电流6.5A（Tc=25°C），导通电阻典型值为0.38Ω（VGS=10V）。其快速开关特性、低栅极电荷（Qg≈12nC）和优化的体二极管性能，使其适用于中功率、高频开关场景。 典型应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）中的次级侧同步整流或初级侧开关（如反激式、降压式转换器）； ✅ 电机驱动电路（如直流无刷电机BLDC的半桥驱动、风扇/泵类小功率电机控制）； ✅ LED恒流驱动电源中的PWM调光开关与恒流调节； ✅ 电池管理系统（BMS）中的充放电保护开关或负载开关； ✅ 工业控制模块中的继电器替代、固态开关及电源通断控制。 该器件具备良好的热稳定性与雪崩耐受能力（UIS rated），适合在100kHz以内中频、中等功率（约数十瓦）环境下可靠工作。TO-252封装便于PCB布局与散热设计，兼顾成本与性能，广泛用于消费电子、工业电源、照明及家电等对效率、尺寸与可靠性有综合要求的领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 4.5A D-PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDD6N20TF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UniFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 230pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.1nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 800 毫欧 @ 2.3A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | FDD6N20TFDKR |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A （Tc） |
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