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产品简介:
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FDD6696 是安森美(ON Semiconductor)推出的N沟道逻辑电平增强型功率MOSFET,采用TO-252(DPAK)封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值仅12.5 mΩ @ Vgs=10V,20 mΩ @ Vgs=4.5V)、高电流能力(ID=60A,脉冲可达240A)及快速开关特性。其逻辑电平驱动特性(Vgs(th)低至1.0–2.0V)使其可直接由3.3V或5V微控制器IO口驱动,无需额外驱动电路。 典型应用场景包括: ✅ DC-DC电源转换:用作同步整流MOSFET或主开关管,广泛应用于服务器、通信设备和工业电源的降压(Buck)转换器中,提升效率与功率密度; ✅ 电机控制:适用于中小功率有刷直流电机、步进电机驱动的H桥或半桥电路,如电动工具、风扇、打印机等; ✅ 负载开关与电源管理:用于板级电源的热插拔保护、电池供电系统的电源路径管理(如USB供电切换、PD接口保护); ✅ LED照明驱动:作为恒流调光开关或PWM调光主控器件,支持高频率开关以实现无频闪调光; ✅ 汽车电子辅助系统:符合AEC-Q101可靠性标准(注:FDD6696为工业级,非车规;若需车规应用,应选用其车规衍生型号如NVFDD6696),常用于车载充电模块、车身控制单元(BCM)中的继电器替代方案。 该器件兼具高效率、小尺寸与易用性,适合对成本、散热及PCB空间敏感的中高功率开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 13A D-PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | FDD6696 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1715pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8 毫欧 @ 13A,10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 1.6W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 13A (Ta), 50A (Tc) |