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- 型号： FDD6676
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD6676由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD6676价格参考。Fairchild SemiconductorFDD6676封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDD6676参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD6676 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD6676 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用TO-252（DPAK）表面贴装封装。其典型参数包括：VDS = 60 V，ID（连续）= 40 A（TC = 25°C），RDS(on) ≈ 18 mΩ（VGS = 10 V），具备低导通电阻、快速开关特性及良好的热稳定性。 该器件主要应用于中功率DC-DC电源转换场景，如： ✅ 同步整流BUCK转换器中的主开关或同步整流管（尤其适用于12V/24V输入、3.3V–12V输出的工业电源与通信电源）； ✅ 电机驱动电路（如小型直流无刷电机、步进电机的H桥上/下臂开关）； ✅ 电池管理系统（BMS）中的充放电保护与均衡控制开关； ✅ LED驱动电源中的调光/调流开关； ✅ 汽车电子辅助系统（如车载USB充电模块、车身控制模块BCU中的负载开关，符合AEC-Q101可靠性标准，具备一定车规适用性）。 其逻辑电平驱动特性（VGS(th)低至1.0–2.5 V，可被3.3V/5V MCU直接驱动）降低了驱动电路复杂度，适合空间受限、高效率要求的嵌入式应用。需注意在大电流工况下加强PCB铜箔散热设计以保障长期可靠性。
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