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  • 型号: FDD5N50TM
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDD5N50TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD5N50TM价格参考。Fairchild SemiconductorFDD5N50TM封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDD5N50TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDD5N50TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDD5N50TM 是 Fairchild Semiconductor(现属ON Semiconductor)推出的N沟道增强型高压功率MOSFET,采用TO-252(DPAK)表面贴装封装。其典型参数包括:VDSS = 500 V、ID(连续)= 4.5 A(TC = 25°C)、RDS(on) ≈ 1.4 Ω(VGS = 10 V),具备快速开关特性与较低栅极电荷(Qg ≈ 12 nC)。

该器件主要应用于中等功率、高电压的开关场景,常见于:  
✅ 离线式AC-DC电源:如适配器、充电器中的反激(Flyback)或准谐振(QR)控制器的主开关管;  
✅ LED驱动电源:用于隔离/非隔离式恒流驱动电路,支持宽输入电压范围及调光控制;  
✅ 工业控制与电机驱动:在小型直流电机、步进电机的H桥或半桥驱动中作功率开关(需注意电流与散热匹配);  
✅ UPS与逆变器辅助电路:用于DC-DC升压级或电池切换模块等次级功率处理环节;  
✅ 家电与白色家电:如电磁炉、空调压缩机控制板中的高压侧开关应用(常配合驱动IC使用)。

其TO-252封装兼顾散热性与PCB空间效率,适合自动化贴片生产;内置体二极管具备一定续流能力,但高频应用中建议外置快恢复二极管以优化EMI与效率。设计时需关注栅极驱动电压稳定性(推荐10–15 V)、PCB铜箔散热面积及结温限制(TJ ≤ 150°C)。  

(字数:398)
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