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详细数据请看参考数据手册
- 型号： FDD5N50TF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD5N50TF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD5N50TF价格参考。Fairchild SemiconductorFDD5N50TF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDD5N50TF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD5N50TF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD5N50TF 是 Fairchild Semiconductor（现属onsemi）推出的N沟道增强型高压功率MOSFET，采用TO-220F（绝缘封装）或类似直插式封装（具体以数据手册为准），主要参数为：VDS = 500 V、ID = 5 A（连续）、RDS(on) ≈ 1.4 Ω（典型值，VGS = 10 V）、具备快速开关特性与内置体二极管。 其典型应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：用于AC-DC适配器、PC ATX电源、LED驱动电源等中的主开关管或PFC电路后级开关； ✅ 电机控制：适用于中小功率直流无刷电机（BLDC）驱动、风扇/泵类家电的H桥或半桥驱动； ✅ 照明电子：在高压LED恒流驱动器中作PWM调光开关； ✅ 工业控制：用于PLC输出模块、继电器替代、电磁阀/螺线管驱动等中等功率电平切换场合； ✅ 逆变器与UPS：作为DC-AC转换中的低压侧开关（需配合驱动及保护设计）。 该器件具备雪崩耐量（RAS rated），适合感性负载切换；但因RDS(on)相对较高，不推荐用于大电流连续导通或高频（>100 kHz）高效率场景。设计时需注意散热（TO-220F需加装散热器）、栅极驱动能力（避免米勒效应误导通）及过压/过流保护。 注：Fairchild已于2016年被ON Semiconductor收购，FDD5N50TF现属onsemi产品线，建议参考最新官方数据手册（如“FDD5N50TF-D”）获取准确封装、热特性和可靠性信息。
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图文手册
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