Datasheet下载- 型号： FDD45AN06LA0_F085
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD45AN06LA0_F085由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD45AN06LA0_F085价格参考。Fairchild SemiconductorFDD45AN06LA0_F085封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDD45AN06LA0_F085参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD45AN06LA0_F085 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD45AN06LA0_F085 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有60V耐压、45A连续漏极电流（Tc=25℃）、典型导通电阻Rds(on)低至12.5mΩ（Vgs=10V），具备快速开关特性与良好热稳定性。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：广泛用于同步整流BUCK/BOOST转换器中作为主开关或续流管，提升效率（尤其在12V/24V输入系统中）； ✅ 电机驱动：适用于中小功率有刷直流电机、步进电机的H桥驱动电路，支持PWM调速； ✅ 电源管理模块：如服务器/通信设备中的负载开关、热插拔保护、电源轨排序控制； ✅ LED照明驱动：用于恒流驱动电路中的开关元件或调光控制； ✅ 工业控制与汽车电子：符合AEC-Q101标准（该型号为车规级版本），可用于车载辅助系统（如风扇控制、车身控制模块BCM、LED车灯驱动等）。 其低Rds(on)和优化栅极电荷（Qg≈38nC）兼顾了导通损耗与开关损耗，适合中高频（≤500kHz）开关应用；TO-252封装便于PCB布局与散热设计，适用于空间受限但需可靠功率处理能力的场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 25A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDD45AN06LA0_F085 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 880pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 36 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 55W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.2A （Ta）， 25A （Tc） |
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