Datasheet下载- 型号： FDD2612
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD2612由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD2612价格参考。Fairchild SemiconductorFDD2612封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDD2612参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD2612 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD2612 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 38 mΩ @ VGS = 10 V）、高阈值电压（VGS(th) ≈ 2.0–4.0 V）及12 A连续漏极电流能力，适用于中等功率开关应用。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：常用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），尤其在工业电源、通信设备及嵌入式系统中，兼顾效率与热管理； ✅ 电机驱动控制：适用于中小功率直流电机或步进电机的H桥驱动电路中的单边开关，提供快速开关（ton/toff 约数十纳秒）与可靠换向； ✅ 负载开关与电源管理：在板级电源分配中作为热插拔保护、电池供电系统的主控开关，支持过流/短路防护设计； ✅ LED驱动与照明控制：用于PWM调光电路中驱动中功率LED串，具备良好开关一致性与EMI特性； ✅ 逆变器与辅助电源：在光伏微逆变器、UPS或AC-DC适配器的辅助电源（如偏置绕组供电回路）中作隔离式DC-DC开关管。 该器件具备雪崩耐受能力（UIS rated），增强了系统鲁棒性；其无铅、符合RoHS标准，适合自动化贴片生产。需注意PCB布局时加强散热焊盘设计，并合理匹配栅极驱动（推荐驱动电压≥10 V以确保充分导通）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 4.9A D-PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDD2612 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 234pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 720 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 1.6W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.9A （Ta） |
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