Datasheet下载- 型号： FDD2570
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD2570由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD2570价格参考。Fairchild SemiconductorFDD2570封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDD2570参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD2570 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD2570 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 3.8 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 80 A）和优良的开关性能。其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器，提升效率并降低温升； - 电机驱动：适用于中小功率有刷直流电机或步进电机的H桥驱动电路，支持高频PWM调速； - 负载开关与电源管理：在笔记本电脑、嵌入式系统中用作主电源路径控制（如电池充放电切换、热插拔保护）； - LED驱动与照明电源：在高亮度LED恒流驱动或智能照明调光模块中承担开关与调制功能； - 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101可靠性标准（注：FDD2570为工业级，非车规版；若需车规应用，应选用其车规衍生型号如NVFDD2570），但可应用于部分车载后装设备（如车载充电器、逆变器）。 该器件具备良好的雪崩耐量和ESD防护能力，适合中高功率、中高频（≤500 kHz）开关应用。设计时需注意PCB散热布局与栅极驱动匹配（推荐12 V驱动以确保充分增强），以发挥其低损耗优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 4.7A D-PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDD2570 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1907pF @ 75V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 62nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 80 毫欧 @ 4.7A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.7A （Ta） |
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