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- 型号： FDB8132_F085
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB8132_F085由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB8132_F085价格参考。Fairchild SemiconductorFDB8132_F085封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDB8132_F085参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDB8132_F085 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDB8132_F085 是安森美（onsemi）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用DPAK封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅3.2 mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=60A连续，180A脉冲）及优良的开关性能。其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器，提升效率并降低温升； - 电机驱动：适用于中小功率BLDC电机控制器（如风扇、泵、电动工具）的H桥或半桥功率级，支持高频PWM驱动； - 负载开关与电源管理：在主板、显卡等板级电源中作热插拔保护、电源轨开关或电池保护电路中的主控开关； - LED驱动与照明系统：用于大电流LED恒流驱动的调光/开关控制级； - 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101可靠性标准（F085为车规级版本），可用于车身控制模块（BCM）、座椅调节、车窗升降等12V/24V低压直流负载驱动。 该器件具备强雪崩耐量、低栅极电荷（Qg≈70nC）和优化的体二极管特性，兼顾高效开关与稳健保护能力，适合中高功率、高可靠性要求的应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDB8132_F085 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14100pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 350nC @ 13V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.6 毫欧 @ 80A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-263AB |
| 其它名称 | FDB8132_F085DKR |
| 功率-最大值 | 341W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
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