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  • 型号: FDB6035L
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDB6035L由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB6035L价格参考。Fairchild SemiconductorFDB6035L封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDB6035L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDB6035L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDB6035L 是 Fairchild Semiconductor(现属安森美半导体 ON Semiconductor)推出的一款 N 沟道逻辑电平增强型功率 MOSFET,采用 TO-252(DPAK)表面贴装封装。其典型参数包括:VDS = 30 V、ID(连续)= 42 A(TC = 25°C)、RDS(on) 低至 9.5 mΩ(VGS = 10 V),且支持逻辑电平驱动(VGS(th) 约 1–2.5 V),可被 3.3 V 或 5 V MCU 直接驱动。

主要应用场景包括:  
✅ DC-DC 电源转换:广泛用于同步降压(Buck)转换器的高/低侧开关,尤其适用于通信设备、服务器电源模块及工业电源中高效、高密度的设计。  
✅ 电机控制:驱动中小功率直流有刷电机、步进电机或风扇,常见于打印机、电动工具、家电(如吸尘器、空调风机)等需 PWM 调速与快速开关的场合。  
✅ 负载开关与电源管理:作为主板/板级的热插拔保护、电池供电系统的主通路开关(如 USB 供电路径管理、PD 协议适配器输出级),利用其低导通电阻减少压降与发热。  
✅ LED 驱动与照明系统:用于 LED 恒流驱动电路的开关调节环节,支持高频 PWM 调光,提升能效与响应速度。  

该器件具备良好的雪崩耐量和 ESD 防护能力,适合在中等功率、中高频(≤500 kHz)开关环境下稳定运行,兼顾效率、成本与设计简易性。
产品参数 图文手册 常见问题
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