Datasheet下载- 型号： FDB3860
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB3860由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB3860价格参考。Fairchild SemiconductorFDB3860封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDB3860参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDB3860 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDB3860 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅1.8mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=120A连续，240A脉冲）及优良的开关性能。其主要应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器，提升效率并降低温升； 2. 电机驱动：适用于中大功率无刷直流（BLDC）电机控制模块（如电动工具、风扇、泵类），支持高频PWM驱动与快速关断； 3. 负载开关与电源管理：在热插拔电路、电池保护板、POL（Point-of-Load）模块中用作高效主开关，具备强抗雪崩能力（EAS=520mJ），提升系统可靠性； 4. 逆变器与UPS系统：作为输出级功率开关，配合IGBT或其它MOSFET构成H桥，用于中小功率离网/备用电源。 该器件优化了栅极电荷（Qg≈120nC）与输出电荷（Qoss），兼顾开关速度与驱动损耗，适合工作频率达100–500kHz的高效率设计。需注意合理布局PCB散热焊盘并匹配驱动能力（推荐峰值驱动电流≥2A），以充分发挥其性能优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDB3860 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1740pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 37 毫欧 @ 5.9A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | FDB3860DKR |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.4A （Ta）， 30A （Tc） |
推荐商品
.jpg)
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
FDB3860 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商