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  • 型号: FDB3632_SB82115
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDB3632_SB82115由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB3632_SB82115价格参考。Fairchild SemiconductorFDB3632_SB82115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDB3632_SB82115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDB3632_SB82115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDB3632_SB82115 是安森美(ON Semiconductor)推出的N沟道增强型功率MOSFET,采用DPAK(TO-252)封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值约12.5 mΩ @ Vgs=10V)、高电流能力(ID=60A连续,脉冲达240A)及优良的开关性能。其典型应用场景包括:

- DC-DC电源转换:广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器,提升效率并降低温升;  
- 电机驱动:适用于中小功率有刷直流电机或步进电机的H桥驱动电路,支持高频PWM调速;  
- 负载开关与电源管理:在笔记本电脑、打印机、POS终端等设备中用作主电源通断控制或热插拔保护开关;  
- LED照明驱动:作为恒流源开关元件,配合控制器实现高效、低EMI的LED调光与驱动;  
- 汽车电子辅助系统:符合AEC-Q101可靠性标准(注:需确认具体批次是否为车规版),可用于车身控制模块(BCM)、风扇/泵驱动等非安全关键应用。

该器件具备良好的雪崩耐量和ESD防护能力,适合中高功率、中高频(数十kHz至数百kHz)开关场景,兼顾效率、散热性与成本优势。实际选型时需结合散热设计、驱动电压(推荐10V以上以确保充分导通)及PCB布局优化。
产品参数 图文手册 常见问题
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