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- 型号： FDB2670
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB2670由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB2670价格参考。Fairchild SemiconductorFDB2670封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDB2670参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDB2670 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDB2670 是 Fairchild Semiconductor（现属安森美半导体 ON Semiconductor）推出的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-263（D²PAK）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 1.8 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 120 A）和优良的开关性能。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC 电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流 Buck 转换器，凭借低 RDS(on) 显著降低导通损耗，提升能效。 ✅ 电机驱动：适用于中大功率无刷直流（BLDC）电机控制器、电动工具、风扇及泵类驱动电路，支持高频 PWM 开关与快速关断。 ✅ 电池管理系统（BMS）与电子保险丝：用作主回路充放电开关或过流保护开关，得益于其雪崩耐量（UIS rated）和稳健的短路承受能力。 ✅ 逆变器与UPS系统：在中小功率光伏微逆变器或不间断电源输出级中承担高频开关任务。 该器件支持逻辑电平驱动（VGS(th) 约 2–4 V），但推荐 10 V 驱动以确保充分导通；内置体二极管具备较快反向恢复特性，利于续流应用。需注意 PCB 散热设计（如大面积铜箔+过孔散热）以维持结温安全。 综上，FDB2670 主要面向高效率、高功率密度、中高频开关需求的工业与电源领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDB2670 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1320pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 130 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-263AB |
| 功率-最大值 | 93W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 19A （Ta） |
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