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- 型号： FDB12N50UTM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB12N50UTM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB12N50UTM价格参考。Fairchild SemiconductorFDB12N50UTM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDB12N50UTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDB12N50UTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDB12N50UTM 是 Fairchild Semiconductor（现属安森美半导体 ON Semiconductor）推出的双 N 沟道增强型高压功率 MOSFET 阵列，采用 D²PAK 封装。其关键参数包括：VDS = 500 V、ID（连续）= 12 A（TC = 25°C）、RDS(on) 典型值为 0.45 Ω，具备快速开关特性与内置反并联二极管。 该器件典型应用于中高功率、高频开关场景，尤其适合需双路同步/互补控制的拓扑结构，例如： - PFC（功率因数校正）电路：在交错式（Interleaved）升压 PFC 中，两颗MOSFET可分别驱动两路电感，提升效率、降低电流纹波与EMI； - 半桥/全桥逆变器：作为上、下桥臂开关，用于LED驱动电源、工业电机驱动或小功率光伏逆变器； - 服务器/通信电源的LLC谐振变换器或有源钳位正激电路：利用其高压耐受与低导通损耗，提高转换效率与可靠性； - 工业电源模块与UPS系统：支持宽输入电压范围及高可靠性要求。 其阵列集成设计节省PCB面积、简化布局、匹配双路驱动时序，同时降低寄生参数影响。需注意散热设计（推荐使用足够铜箔面积或外接散热器），并配合合适栅极驱动器（如提供±12–15 V驱动能力）以确保快速开关与抗dv/dt干扰能力。
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