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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FCU7N60TU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCU7N60TU价格参考¥3.32-¥3.32。Fairchild SemiconductorFCU7N60TU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FCU7N60TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FCU7N60TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FCU7N60TU 是安森美(ON Semiconductor)推出的600V、7A N沟道增强型高压功率MOSFET,采用TO-252(DPAK)表面贴装封装,具备低导通电阻(RDS(on) ≈ 1.2Ω @ VGS=10V)、快速开关特性及良好的雪崩耐受能力。 其典型应用场景包括: ✅ 开关电源(SMPS):广泛用于AC-DC适配器、LED驱动电源、PC电源副边同步整流或PFC后级主开关(中小功率段); ✅ LED照明驱动:适用于隔离/非隔离式降压(Buck)、反激(Flyback)拓扑中的主开关器件,支持高效率、低EMI设计; ✅ 工业控制与家电:如电机驱动(小功率风机、水泵)、电磁阀/继电器驱动、智能电表电源模块等对可靠性与成本敏感的中压应用; ✅ 逆变器与UPS:在中小容量离线式不间断电源或光伏微逆变器中用作DC-AC桥臂开关(需配合驱动与保护电路); ✅ 消费电子电源管理:如电视、机顶盒、充电器等设备的辅助电源或主功率级。 该器件内置体二极管,具备一定续流能力;TO-252封装便于散热与自动化贴片生产,适合空间受限但需兼顾热性能的设计。需注意:实际应用中须合理设计栅极驱动(避免振荡)、提供足够散热(建议加散热焊盘)、并配置过压/过流保护以发挥其雪崩鲁棒性优势。 (字数:398)
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 7A I-PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FCU7N60TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SuperFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 920pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 600 毫欧 @ 3.5A,10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 83W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
| 标准包装 | 70 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7A (Tc) |