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  • 型号: FCU7N60TU
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FCU7N60TU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCU7N60TU价格参考¥3.32-¥3.32。Fairchild SemiconductorFCU7N60TU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FCU7N60TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FCU7N60TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FCU7N60TU 是安森美(ON Semiconductor)推出的600V、7A N沟道增强型高压功率MOSFET,采用TO-252(DPAK)表面贴装封装,具备低导通电阻(RDS(on) ≈ 1.2Ω @ VGS=10V)、快速开关特性及良好的雪崩耐受能力。

其典型应用场景包括:  
✅ 开关电源(SMPS):广泛用于AC-DC适配器、LED驱动电源、PC电源副边同步整流或PFC后级主开关(中小功率段);  
✅ LED照明驱动:适用于隔离/非隔离式降压(Buck)、反激(Flyback)拓扑中的主开关器件,支持高效率、低EMI设计;  
✅ 工业控制与家电:如电机驱动(小功率风机、水泵)、电磁阀/继电器驱动、智能电表电源模块等对可靠性与成本敏感的中压应用;  
✅ 逆变器与UPS:在中小容量离线式不间断电源或光伏微逆变器中用作DC-AC桥臂开关(需配合驱动与保护电路);  
✅ 消费电子电源管理:如电视、机顶盒、充电器等设备的辅助电源或主功率级。

该器件内置体二极管,具备一定续流能力;TO-252封装便于散热与自动化贴片生产,适合空间受限但需兼顾热性能的设计。需注意:实际应用中须合理设计栅极驱动(避免振荡)、提供足够散热(建议加散热焊盘)、并配置过压/过流保护以发挥其雪崩鲁棒性优势。  

(字数:398)
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 7A I-PAK

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

FCU7N60TU

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

SuperFET™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

920pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

30nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

600 毫欧 @ 3.5A,10V

供应商器件封装

I-Pak

功率-最大值

83W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

标准包装

70

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7A (Tc)

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