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- 型号： FCPF20N60ST
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FCPF20N60ST由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCPF20N60ST价格参考￥12.58-￥12.58。Fairchild SemiconductorFCPF20N60ST封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FCPF20N60ST参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FCPF20N60ST 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FCPF20N60ST 是安森美（ON Semiconductor）推出的高压超级结N沟道功率MOSFET，额定参数为600V耐压、20A连续漏极电流（Tc=25℃），采用TO-220F封装（全绝缘、无散热片接触）。其典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC适配器、PC电源、服务器电源及工业电源的主开关管，凭借低导通电阻（Rds(on)典型值0.28Ω）和优化的体二极管特性，提升效率并降低温升。 2. PFC电路：适用于有源功率因数校正（Boost PFC）级，支持连续导通模式（CCM），具备快速开关速度与低开关损耗，满足高能效标准（如80 PLUS、Energy Star）。 3. 电机驱动与逆变器：可用于中小功率通用变频器、家用电器（如空调、洗衣机）的驱动模块，以及UPS不间断电源中的DC-AC逆变环节。 4. 照明电子镇流器与LED驱动：在高压LED恒流驱动或高频荧光灯镇流器中承担高频开关功能。 该器件内置ESD保护，具备雪崩耐量（UIS），可靠性高；但需注意其栅极阈值电压（2–4V）较低，设计中应避免误开通，建议搭配合适的驱动电路与负压关断保障。适用于要求高效率、高功率密度及长期稳定运行的工业与消费类电源系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FCPF20N60ST |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SuperFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | - |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | - |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A |
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