Datasheet下载- 型号： ESD11B5.0ST5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ESD11B5.0ST5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ESD11B5.0ST5G价格参考。ON SemiconductorESD11B5.0ST5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ESD11B5.0ST5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ESD11B5.0ST5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ESD11B5.0ST5G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款单向TVS（瞬态电压抑制）二极管，主要用于电路中的静电放电（ESD）保护。其主要应用场景包括： 1. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等，用于保护USB接口、HDMI接口等易受静电干扰的信号线路。 2. 工业控制系统：用于保护PLC、传感器、通信模块等设备中的敏感电子元件，防止因静电或瞬态电压导致的损坏。 3. 汽车电子系统：如车载娱乐系统、仪表盘控制模块、车身控制模块等，用于提高电子系统的可靠性和稳定性。 4. 通信设备：在路由器、交换机、基站设备中用于保护数据线和通信接口免受静电和浪涌电压的损害。 该器件具有响应速度快、钳位电压低、可靠性高等优点，适用于需要对低压敏感器件进行高效ESD保护的场合。其工作电压为5V，适合用于保护3.3V和5V逻辑电路。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护半导体 |
| 描述 | TVS DIODE 5VWM 10VC DSN2TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 BI DIR MID CAP TVS |
| 产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,ON Semiconductor ESD11B5.0ST5G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ESD11B5.0ST5G |
| 不同频率时的电容 | - |
| 产品种类 | TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
| 供应商器件封装 | 2-DSN（0.60x0.30） |
| 其它名称 | ESD11B5.0ST5GOSCT |
| 击穿电压 | 5.8 V |
| 功率-峰值脉冲 | - |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 1 |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 2-XFDFN |
| 封装/箱体 | DSN-2 |
| 峰值脉冲功率耗散 | 250 mW |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 工作电压 | 5 V |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 极性 | Bidirectional |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 5.8V |
| 电压-反向关态（典型值） | 5V（最小值） |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 10V |
| 电容 | 12 pF |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 2A （8/20µs） |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | ESD11B |
| 钳位电压 | 10 V |
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