Datasheet下载- 型号： EMH2412-TL-H
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供EMH2412-TL-H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EMH2412-TL-H价格参考。ON SemiconductorEMH2412-TL-H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载EMH2412-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有EMH2412-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
EMH2412-TL-H 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道N沟道增强型MOSFET阵列，采用超小型TSOP-6封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值约23 mΩ @ Vgs=4.5V）、快速开关特性及高集成度。其典型应用场景包括： - 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关、电池充放电路径控制及背光LED驱动，利用其双MOSFET结构实现高效同步整流或双向电流控制。 - DC-DC转换器与POL（点负载）稳压模块：作为同步降压转换器的下管（low-side switch），配合外部高端驱动器，提升转换效率并减小PCB面积。 - 电机驱动与H桥控制：适用于微型直流电机（如摄像头自动对焦马达、风扇）的轻载驱动，双MOSFET可配置为半桥或独立开关，支持PWM调速与方向控制。 - USB Type-C/Power Delivery接口保护：用于VBUS开关、过流/反向电流防护电路，凭借低阈值电压（Vgs(th) 0.5–1.2V）和ESD防护能力（HBM ±2kV），满足严苛接口安全要求。 - 工业传感器节点与IoT终端：在空间受限的低功耗系统中，实现外设供电的按需启停（如MCU休眠时切断传感器电源），降低待机功耗。 该器件工作结温范围宽（–55°C 至 +150°C），符合AEC-Q101车规可靠性标准（部分批次），亦可用于车载信息娱乐系统等严苛环境。需注意其最大Vds为20V，适用于低压（≤12V）系统设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 24V 6A EMH8 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | EMH2412-TL-H |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.3nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 27 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-EMH |
| 功率-最大值 | 1.4W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 24V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A |
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