Datasheet下载- 型号： EMA6DXV5T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供EMA6DXV5T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EMA6DXV5T1G价格参考。ON SemiconductorEMA6DXV5T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载EMA6DXV5T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有EMA6DXV5T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的EMA6DXV5T1G是一款双极结型晶体管（BJT）阵列，内置预偏置电阻（含R1、R2），采用SOT-563封装，含两个独立的NPN晶体管（共发射极配置），具有低饱和电压、高直流电流增益（hFE）、优良的开关特性及紧凑尺寸。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑接口电平转换与驱动：用于MCU或FPGA输出信号的缓冲/增强，驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或低功耗继电器模块；预偏置设计简化外围电路，无需外接基极限流电阻。 2. 便携式电子设备中的负载开关：在电池供电设备（如TWS耳机、智能手环、IoT传感器节点）中，作为低功耗、快速响应的电源通断控制开关，实现模块级电源管理。 3. 多路信号切换与状态指示：双通道结构适合同步控制两路LED背光、状态指示灯或I²C/SPI总线上的上拉/下拉辅助开关。 4. 工业控制中的简易隔离驱动：在PLC输入扩展、光电耦合器后级驱动等对隔离要求不高但需高可靠性、小体积的场合，提供低成本、高集成度的驱动方案。 该器件工作温度范围为−55°C至+150°C，符合AEC-Q101车规标准，亦适用于部分车载信息娱乐系统或车身电子模块（如座椅控制、灯光调节）中的非安全关键信号处理环节。注意：不适用于大电流（>100mA持续负载）或高频（>10MHz）开关场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT553 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | EMA6DXV5T1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-553 |
| 其它名称 | EMA6DXV5T1GOSCT |
| 功率-最大值 | 230mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-553 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |
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