Datasheet下载- 型号： EMA6DXV5T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供EMA6DXV5T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EMA6DXV5T1价格参考。ON SemiconductorEMA6DXV5T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载EMA6DXV5T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有EMA6DXV5T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的EMA6DXV5T1是一款双极结型晶体管（BJT）阵列，内置预偏置电阻（含R1/R2），采用SOT-563（SC-88）封装，含两个独立的NPN晶体管（双通道），每通道集成基极-发射极和基极-集电极偏置电阻，支持直接逻辑电平驱动。 典型应用场景包括： 1. 数字逻辑接口电平转换与驱动：如微控制器（MCU）GPIO输出驱动LED、小型继电器或低功耗指示灯，无需外接偏置电阻，简化PCB设计； 2. 信号切换与多路开关控制：在便携式设备（如TWS耳机、可穿戴设备）中用于音频路径切换、传感器使能控制等低电流（IC ≤ 100 mA）开关功能； 3. 电源管理辅助电路：如LDO使能控制、电池检测电路中的信号缓冲/反相，利用其高输入阻抗与稳定开关特性； 4. 工业与消费类小功率负载驱动：驱动小型蜂鸣器、光耦输入级或MOSFET栅极预驱动（需注意电流能力限制）。 该器件具有低饱和压降（VCE(sat)典型值0.15 V @ IC=10 mA）、快速开关特性（ton/toff约数十纳秒）及ESD防护（HBM ≥ 2 kV），适用于空间受限、成本敏感且需高可靠性的小信号开关场景。不适用于大电流、高电压或线性放大应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT553 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | EMA6DXV5T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-553 |
| 其它名称 | EMA6DXV5T1OSCT |
| 功率-最大值 | 230mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-553 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
EMA6DXV5T1 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商