Datasheet下载- 型号： EFC6602R-TR
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供EFC6602R-TR由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EFC6602R-TR价格参考。ON SemiconductorEFC6602R-TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载EFC6602R-TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有EFC6602R-TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
EFC6602R-TR 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道N沟道增强型MOSFET阵列，采用紧凑的TSOP-6封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值约25 mΩ @ Vgs=4.5V）、快速开关特性及高集成度。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关与电池保护电路，利用双MOSFET结构实现主/辅电源路径切换或充放电双向控制。 2. DC-DC转换器同步整流：在小型降压（Buck）转换器中，作为同步整流管替代肖特基二极管，提升转换效率（尤其在1–3A中等电流场合），降低温升。 3. LED驱动与背光控制：用于多路LED串的独立调光或使能控制，支持PWM信号直接驱动，满足手机/平板屏幕背光动态调节需求。 4. H桥驱动简化方案：配合外部逻辑或驱动IC，可构建微型H桥用于振动马达、小功率直流电机的正反转控制（需注意其为双N沟道，需电平移位或上管驱动设计）。 5. USB Type-C接口保护与切换：在PD协议相关电路中，用于VBUS路径开关、CC引脚保护或多路信号切换，发挥其低寄生参数和ESD防护（HBM ±2kV）优势。 该器件工作电压范围为1.8V–5.5V，适合单节锂电供电系统，强调高可靠性与小尺寸，广泛应用于对空间和能效敏感的消费类及工业嵌入式系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 24V 6A EFCP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | EFC6602R-TR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 55nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | - |
| 供应商器件封装 | 4-EFCP （1.61x1.61） |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 4-XFBGA |
| 标准包装 | 5,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
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