图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ECH8305-TL-E由SANYO Semiconductor Company设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ECH8305-TL-E价格参考。SANYO Semiconductor CompanyECH8305-TL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ECH8305-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ECH8305-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的ECH8305-TL-E是一款双N沟道增强型MOSFET(采用SOT-563封装,含两个独立、匹配的MOSFET),具有低导通电阻(Rds(on)典型值仅19 mΩ @ Vgs=4.5V)、小尺寸、高开关效率及良好热性能。其典型应用场景包括: 1. 便携式电子设备电源管理:如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、电池保护电路或DC-DC转换器的同步整流开关,利用其低导通损耗延长电池续航。 2. LED驱动与背光控制:在小型LCD/OLED显示屏背光电路中,用作高效PWM调光开关,实现精确亮度调节与低功耗运行。 3. 电机驱动(微型):适用于振动马达、微型风扇等低功率直流电机的H桥或单路驱动,尤其适合空间受限的可穿戴设备。 4. 接口保护与信号切换:在USB、I²C等低压总线中作为电压电平转换或过流隔离开关,提供快速响应和ESD鲁棒性(符合IEC61000-4-2标准)。 5. 多路电源分配(Power Multiplexing):在支持多输入(如USB/无线充电)的设备中,智能选择并切换供电路径,避免反向电流。 该器件工作电压范围1.8–5.5V,支持逻辑电平驱动(Vgs(th)低至0.5V),无需额外电平转换,特别适配3.3V/1.8V系统。其双通道结构节省PCB面积,提升集成度,广泛用于对尺寸、能效和可靠性要求严苛的消费类及物联网终端产品。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 4A ECH8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | ECH8305-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1680pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 85 毫欧 @ 2A,10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-ECH |
| 其它名称 | 869-1152-6 |
| 功率-最大值 | 1.6W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4A (Ta) |