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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DTC123JMT2L由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTC123JMT2L价格参考。ROHM SemiconductorDTC123JMT2L封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DTC123JMT2L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTC123JMT2L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor(罗姆半导体)的DTC123JMT2L是一款预偏置双极性晶体管(BJT),属于晶体管中的单管类别。该器件集成了一个BJT晶体管和一个基极偏置电阻,简化了电路设计,提高了稳定性。 应用场景主要包括: 1. 逻辑电路与开关电路:适用于数字电路中作为开关元件,如驱动LED、继电器、小型电机等负载。 2. 电源管理电路:可用于低功率电源开关控制,如DC-DC转换器中的辅助开关。 3. 信号放大电路:在低频信号放大电路中作为前置放大器使用。 4. 工业自动化设备:如PLC模块、传感器接口电路中,用于信号切换或驱动小型执行机构。 5. 消费电子产品:如家电控制板、充电器、电源适配器中用于控制和驱动功能。 6. 汽车电子系统:由于其稳定性和集成电阻设计,适用于车载控制模块、车载传感器驱动等场景。 该晶体管封装为SOT-23(SC-59),适合高密度PCB布局,具有良好的稳定性和抗干扰能力,适用于各种中低功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3开关晶体管 - 偏压电阻器 DGTL NPN 50V 100MA |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor DTC123JMT2L- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DTC123JMT2L |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 250µA, 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 10mA,5V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | VMT3 |
| 其它名称 | DTC123JMT2LTR |
| 典型电阻器比率 | 21 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 功率耗散 | 150 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 封装/箱体 | VMT-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率-跃迁 | 250MHz |