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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DTB113E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTB113E价格参考。ON SemiconductorDTB113E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DTB113E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTB113E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DTB113E 是罗姆(ROHM)半导体推出的数字晶体管(Digital Transistor, DTR),内部集成基极-发射极电阻(R1)和基极-发射极并联电阻(R2),典型配置为内置10kΩ(R1)与10kΩ(R2),β≈30–100(典型值)。虽常归类于BJT单管,但其本质是带内置偏置电阻的NPN型开关晶体管。 主要应用场景包括: 1. 低功耗逻辑电平转换与信号开关:适用于MCU/IO口直接驱动,如将3.3V或5V TTL/CMOS信号控制LED、小型继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极;无需外接基极限流电阻,简化PCB设计。 2. 便携式设备输入接口保护电路:用于按键检测、传感器信号调理等,利用其内置电阻实现上拉/限流,提升抗干扰性与可靠性。 3. 消费电子中的负载开关:在蓝牙耳机、遥控器、可穿戴设备中驱动指示灯、振动马达等小电流负载(IC ≤ 100mA,VCEO = 50V)。 4. 替代传统分立BJT+电阻方案:节省空间与BOM成本,适合高密度、低成本、快速开发场景。 注意:DTB113E非通用放大用BJT,不推荐用于线性放大或大电流/高功率开关(如电机主控)。其优势在于“即插即用”的开关功能,兼顾可靠性与设计效率。