【未分类_DS1250BL-70】封装/厂家_DS1250BL-70中文资料_价格

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型号： DS1250BL-70
制造商： Maxim
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供DS1250BL-70由Maxim设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DS1250BL-70价格参考。MaximDS1250BL-70封装/规格：未分类，暂无。您可以下载DS1250BL-70参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DS1250BL-70 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

DS1250BL-70 是 Maxim Integrated（现属 Analog Devices）推出的非易失性静态RAM（NV SRAM），属于“存储器”类别。其核心特点是：内置锂电池、无需外部备用电源或外部EEPROM，上电/掉电时自动完成SRAM与内部非易失存储单元间的数据保存与恢复，读写速度与普通SRAM一致（存取时间70ns），容量为64K×8（512Kb）。

典型应用场景包括：  
- 工业控制系统：用于保存PLC运行参数、校准数据、故障日志等关键状态信息，在意外断电时确保数据不丢失；  
- 医疗设备：如监护仪、输液泵中存储患者设置、报警阈值、操作历史等需高可靠性与即时读写的配置数据；  
- 通信设备：基站、路由器中的配置寄存器缓存、MAC地址表、临时会话信息等，要求快速访问且断电不丢失；  
- 智能电表/能源管理系统：记录用电量、事件时间戳、需量数据等，满足计量法规对数据完整性的严苛要求；  
- 嵌入式仪器仪表：示波器、数据采集器中缓存实时采样数据，并在关机前可靠保存至非易失区。

该器件因集成度高、零软件开销、无限擦写次数及抗冲击/宽温特性（工业级–40°C至+85°C），特别适用于对数据可靠性、实时性和长期免维护有严格要求的嵌入式系统。注意：其内置锂电寿命约10年（典型值），设计时需考虑生命周期管理。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	集成电路 (IC)
描述	IC NVSRAM 4MBIT 70NS 34LPM
产品分类	存储器
品牌	Maxim Integrated
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	DS1250BL-70
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	34-LPM
包装	管件
存储器类型	NVSRAM（非易失 SRAM）
存储容量	4M （512K x 8）
封装/外壳	34-LPM
工作温度	0°C ~ 70°C
接口	并联
标准包装	1
格式-存储器	RAM
电压-电源	4.75 V ~ 5.25 V
速度	70ns