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产品简介:
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DS1249AB-100 是 Maxim Integrated(现属 Analog Devices)推出的一款非易失性静态RAM(NV SRAM),属于存储器类别。其核心特点是:内置锂电池、无需外部备用电源即可实现断电数据保持(典型保持时间10年以上),容量为64K×8位(512Kb),访问速度100ns,采用DIP-28封装。 主要应用场景包括: - 工业控制与PLC系统:在断电或主电源异常时,实时保存关键运行参数、配置信息和过程数据,确保重启后快速恢复; - 医疗设备:用于监护仪、影像设备等需高可靠性数据暂存的场合,保障患者设置、校准参数及临时诊断数据不丢失; - 通信基础设施:在基站、路由器或交换机中缓存配置表、路由状态或日志信息,提升系统鲁棒性; - 智能电表与能源管理系统:持久记录用电数据、事件记录(如失压、断相)及密钥信息,满足计量法规对数据完整性的要求; - 军事/航空嵌入式系统:在严苛环境或供电不稳条件下,提供抗干扰、零延迟、无写入寿命限制的可靠数据存储。 该器件因无需电池更换设计(内置锂原电池)、无写入次数限制、读写速度媲美普通SRAM,特别适用于对数据安全性、实时性和长期免维护有严苛要求的嵌入式场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC NVSRAM 2MBIT 100NS 32EDIP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Maxim Integrated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | DS1249AB-100 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 32-EDIP |
| 包装 | 管件 |
| 存储器类型 | NVSRAM(非易失 SRAM) |
| 存储容量 | 2M (256K x 8) |
| 封装/外壳 | 32-DIP 模块(0.600",15.24mm) |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 11 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.75 V ~ 5.25 V |
| 速度 | 100ns |