Datasheet下载- 型号： DB2J20100L
- 制造商： Panasonic Corporation
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DB2J20100L由Panasonic Corporation设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DB2J20100L价格参考。Panasonic CorporationDB2J20100L封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DB2J20100L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DB2J20100L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Panasonic Electronic Components 旗下的型号 DB2J20100L 是一款单整流二极管，属于高速整流器类别。该器件具有200V反向重复电压（VRRM）和1A平均整流电流（IO）的电气特性，采用紧凑的SOD-123FL小型表面贴装封装，具备低正向压降和快速恢复特性。 DB2J20100L 主要应用于对空间和能效要求较高的电子设备中。典型使用场景包括：开关电源（SMPS）中的输出整流、AC-DC适配器、充电器（如手机、平板、笔记本电源）、LED驱动电源模块等。其快速恢复性能有助于减少开关损耗，提升电源转换效率，适用于高频工作环境。 此外，该二极管也广泛用于消费类电子产品（如电视、音响设备）、家用电器控制板、工业电源模块及通信设备的电源管理电路中。由于其小型化封装，特别适合高密度PCB布局，有利于实现设备轻薄化设计。 综上，DB2J20100L 凭借其高可靠性、优良的热性能和紧凑尺寸，是现代高效电源系统中理想的整流解决方案，适用于各类中小功率电子设备的整流与保护电路。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 20V 0.5A SMINI2肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY BARRIER FLT LD 1.25x2.5mm |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | Panasonic Electronic Components - Semiconductor ProductsPanasonic |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Panasonic DB2J20100L- |
| 数据手册 | http://industrial.panasonic.com/www-cgi/jvcr13pz.cgi?E+SC+4+CDF7002+DB2J201+8+WW |
| 产品型号 | DB2J20100LDB2J20100L |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 550mV @ 500mA |
| 不同 Vr、F时的电容 | 12pF @ 10V，1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 10µA @ 10V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25374 |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | SMini2-F5-B |
| 其它名称 | DB2J20100LTR |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 反向恢复时间(trr) | 4.3ns |
| 商标 | Panasonic |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-90，SOD-323F |
| 封装/箱体 | SMini2-F5-B |
| 峰值反向电压 | 20 V |
| 工作温度-结 | 125°C （最大） |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 125 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 恢复时间 | 4.3 ns |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 10 uA |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最大浪涌电流 | 3 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向电压下降 | 0.55 V |
| 正向连续电流 | 500 mA |
| 热阻 | - |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 20V |
| 电流-平均整流(Io) | 500mA |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
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