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- 型号： CYDM064B16-55BVXI
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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CYDM064B16-55BVXI产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CYDM064B16-55BVXI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供CYDM064B16-55BVXI价格参考以及Cypress SemiconductorCYDM064B16-55BVXI封装/规格参数等产品信息。 你可以下载CYDM064B16-55BVXI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有CYDM064B16-55BVXI详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CYDM064B16-55BVXI 是 Cypress Semiconductor Corp（现属英飞凌科技）推出的一款高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM），容量为64K × 16位（即1 Mbit），访问时间55 ns，采用119引脚BGA封装（BVX后缀表示无铅、符合RoHS的商用温度范围–40°C至+85°C）。 其主要应用场景包括： - 工业控制与自动化设备：作为PLC、运动控制器或HMI系统的高速缓存或临时数据缓冲区，满足实时性与可靠性要求； - 通信基础设施：用于网络交换机、路由器、基站基带处理模块中，暂存帧数据、配置表或协议栈中间结果； - 嵌入式系统与FPGA协处理器接口：常与Xilinx/Intel FPGA搭配使用，作为外部高速工作RAM，支撑图像处理、信号采集等带宽敏感任务； - 测试测量仪器：如逻辑分析仪、高速示波器的数据采集缓冲，利用其零等待周期、异步读写特性实现连续高速数据捕获； - 军用/航空电子（在对应工业级版本基础上）：适用于对温度适应性、抗干扰和长期稳定性有较高要求的加固型设备（需确认具体批次等级）。 该器件不支持掉电保存，属易失性存储器，典型用于需纳秒级存取、低功耗待机及确定性时序的关键路径。随着Cypress被英飞凌收购，该型号已进入产品生命周期末期（EOL），新设计建议参考英飞凌兼容替代方案（如PSRAM或新型低功耗SRAM）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 64KBIT 55NS 100VFBGA |
| 产品分类 | |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=48287 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CYDM064B16-55BVXI |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 100-VFBGA（6x6） |
| 其它名称 | CYDM064B1655BVXI |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量 | 64K（4K x 16） |
| 封装/外壳 | 100-VFBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 429 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V，2.4 V ~ 2.6 V，2.7 V ~ 3.3 V |
| 速度 | 55ns |
