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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CYD18S72V18-200BGXI
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CYD18S72V18-200BGXI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CYD18S72V18-200BGXI价格参考。Cypress SemiconductorCYD18S72V18-200BGXI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CYD18S72V18-200BGXI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CYD18S72V18-200BGXI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CYD18S72V18-200BGXI 是 Cypress（现属英飞凌）出品的高性能同步SRAM（非REI品牌），REI并非半导体制造商，该型号无对应REI品牌产品——可能存在品牌混淆或误标。该器件为18Mb（1M×18位）QDR-II+ SRAM，采用200引脚BGA封装，工作频率达200MHz（周期时间5ns），支持双数据速率读/写，适用于高带宽、低延迟场景。 典型应用场景包括：通信设备中的高速缓存与数据缓冲（如4G/5G基站的FPGA协处理器接口、网络交换芯片的队列管理）；测试测量仪器（如高速逻辑分析仪的数据采集缓存）；工业自动化控制器中的实时数据暂存；以及雷达与数字信号处理（DSP）系统中需要突发式大吞吐量数据交换的场合。 其特点如双端口独立读写、可编程输出驱动强度、JTAG边界扫描及工业级温度范围（–40°C 至 +85°C），使其特别适合严苛环境下的实时嵌入式系统。需注意：设计时应重视PCB布局（阻抗匹配、电源完整性）与信号完整性（如时钟/数据走线等长），并参考英飞凌官方数据手册进行时序约束与初始化配置。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 200MHZ 484FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CYD18S72V18-200BGXI |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 484-FBGA（23x23） |
| 其它名称 | 428-3291 |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量 | 18M（256K x 72） |
| 封装/外壳 | 484-FBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 60 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.42 V ~ 1.58 V，1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 200MHz |
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