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产品简介:
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Cypress Semiconductor Corp的CYD18S18V18-200BBAXC是一款异步静态随机存取存储器(SRAM),主要应用于对数据存储速度和稳定性要求较高的场景。该器件具有18位数据宽度、200MHz访问速度和3.3V电源供电,适用于高性能嵌入式系统和工业控制设备。 典型应用场景包括: 1. 网络通信设备:如路由器、交换机等,用于高速缓存数据和临时存储转发信息; 2. 工业自动化控制系统:用于PLC、工业计算机等设备中,保障数据快速读写与实时处理; 3. 测试与测量仪器:如示波器、逻辑分析仪,用于高速数据采集和临时数据存储; 4. 医疗电子设备:用于影像处理系统或监测设备中,支持快速数据交换与处理; 5. 汽车电子系统:如车载信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统(ADAS),提供可靠的数据缓存支持; 6. 军工与航空航天:在高可靠性要求的系统中作为高速缓存使用。 该SRAM采用高性能异步架构,无需时钟信号即可操作,适用于需要低延迟和灵活访问时序的设计。其封装形式为BGA,适合高密度PCB布局,适用于空间受限但性能要求高的应用环境。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC SRAM 18MBIT 200MHZ 256FBGA |
产品分类 | 存储器 |
品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | CYD18S18V18-200BBAXC |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 256-FBGA(17x17) |
其它名称 | 428-2036 |
包装 | 托盘 |
存储器类型 | SRAM - 双端口,同步 |
存储容量 | 18M(1M x 18) |
封装/外壳 | 256-LBGA |
工作温度 | 0°C ~ 70°C |
接口 | 并联 |
标准包装 | 90 |
格式-存储器 | RAM |
电压-电源 | 1.42 V ~ 1.58 V,1.7 V ~ 1.9 V |
速度 | 200MHz |