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  • 型号: CY7C2670KV18-450BZI
  • 制造商: Cypress Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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CY7C2670KV18-450BZI产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C2670KV18-450BZI由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供CY7C2670KV18-450BZI价格参考以及Cypress SemiconductorCY7C2670KV18-450BZI封装/规格参数等产品信息。 你可以下载CY7C2670KV18-450BZI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有CY7C2670KV18-450BZI详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CY7C2670KV18-450BZI 是 Cypress Semiconductor(现属英飞凌)推出的高性能同步SRAM(静态随机存取存储器),属于QDR™ II+(Quad Data Rate II Plus)类型,容量为72Mb(4M × 18位),工作频率达450MHz(tCLK=2.22ns),支持双数据速率读/写及独立的读写端口。

其典型应用场景包括:  
- 网络通信设备:用作高端路由器、交换机、防火墙中的包缓冲、查找表(如TCAM辅助缓存)和队列管理,满足低延迟、高吞吐需求;  
- 电信基础设施:在基站基带处理单元(BBU)、OTN/SDH传输设备中承担实时数据暂存与流控;  
- 测试与测量仪器:高速逻辑分析仪、示波器等需大带宽、确定性访问的采集缓存;  
- 军事与航空航天电子系统:因该器件采用工业级扩展温度范围(–40°C 至 +85°C)及符合JESD22标准的可靠性设计,适用于雷达信号处理、航电数据总线缓冲等严苛环境;  
- FPGA协处理器接口:常与Xilinx或Intel FPGA搭配,作为高速片外缓存,提升数据交换效率(如通过SSTL_18接口实现稳定互连)。

注:该器件已进入产品生命周期末期(EOL),新设计建议评估英飞凌推荐替代型号(如部分QDR-IV系列),但现有系统仍广泛部署于上述领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC SRAM 144MBIT 450MHZ 165FBGA

产品分类

存储器

品牌

Cypress Semiconductor Corp

数据手册

http://www.cypress.com/?docID=49042

产品图片

产品型号

CY7C2670KV18-450BZI

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

165-FBGA(15x17)

其它名称

CY7C2670KV18450BZI

包装

托盘

存储器类型

SRAM - 同步,DDR II+

存储容量

144M(4M x 36)

封装/外壳

165-LBGA

工作温度

-40°C ~ 85°C

接口

并联

标准包装

105

格式-存储器

RAM

特色产品

http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/cypress-semiconductor-qdr-extreme-sram/2805

电压-电源

1.7 V ~ 1.9 V

速度

450MHz

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