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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CY7C2644KV18-300BZI
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C2644KV18-300BZI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C2644KV18-300BZI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C2644KV18-300BZI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C2644KV18-300BZI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C2644KV18-300BZI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C2644KV18-300BZI 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于QDR-II+（Quad Data Rate II Plus）类型，容量为18Mb（1M × 18位），工作频率达300MHz（tCLK=3.33ns），支持双倍数据速率读写，具备独立读/写端口和突发访问能力。 其典型应用场景包括： - 高速网络设备：如核心路由器、交换机中的包缓冲、查找表（LUT）、FIB/CAM缓存，满足低延迟、高吞吐需求； - 电信基础设施：基站基带处理单元（BBU）、OTN/SDH帧处理中的临时数据缓存与队列管理； - 测试测量仪器：高速逻辑分析仪、示波器中用于实时数据采集与暂存； - 军工与航天电子系统：因该器件采用工业级宽温（–40°C 至 +85°C）及符合JESD22标准的可靠性设计，适用于高稳定性要求场景； - FPGA协处理器缓存：常与Xilinx或Intel FPGA搭配，作为片外高速共享缓存，提升数据吞吐效率。 注：该型号后缀“BZI”表示无铅、符合RoHS、商用温度范围（实际为工业级温度），封装为165-ball FBGA。虽Cypress品牌已整合入英飞凌，但产品延续原技术路线，广泛用于对时序精度、并发读写和低访问延迟敏感的嵌入式实时系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 144MBIT 300MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49089 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C2644KV18-300BZI |
| PCN过时产品 | http://www.cypress.com/?docID=47160 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（15x17） |
| 其它名称 | CY7C2644KV18300BZI |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II+ |
| 存储容量 | 144M（4M x 36） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 105 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/cypress-semiconductor-qdr-extreme-sram/2805 |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 300MHz |
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