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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CY7C1911KV18-250BZXC
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1911KV18-250BZXC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1911KV18-250BZXC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1911KV18-250BZXC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1911KV18-250BZXC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1911KV18-250BZXC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1911KV18-250BZXC 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步双端口静态RAM（SRAM），容量为72Mb（4M × 18位），支持双端口并行访问，工作频率达250MHz（tAA = 2.5ns），采用165-ball BGA封装。 其主要应用场景包括： 1. 高速通信设备：如核心路由器、交换机及网络处理器中的数据包缓存、FIFO缓冲和表项存储，利用双端口特性实现读写并行，避免总线争用； 2. 工业与嵌入式控制系统：用于PLC、运动控制器中实时共享内存区，支持CPU与FPGA/DSP协同处理，提升多任务响应效率； 3. 测试与测量仪器：在高速示波器、逻辑分析仪中作为深度采集缓存，满足高带宽、低延迟的数据暂存需求； 4. 军事/航天电子系统：凭借工业级温度范围（–40°C 至 +85°C）及高可靠性设计，适用于雷达信号处理、航电数据交换等严苛环境。 该器件不适用于大容量长期存储（如Flash替代），亦非通用型DRAM，其价值在于确定性低延迟、无刷新、真正并发读写能力，是需要实时共享高速数据通路的关键节点的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49116 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1911KV18-250BZXC |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47156 |
| PCN过时产品 | http://www.cypress.com/?docID=47160 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 18M（2M x 9） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 250MHz |
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