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- 型号： CY7C1543V18-333BZI
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1543V18-333BZI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1543V18-333BZI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1543V18-333BZI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1543V18-333BZI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1543V18-333BZI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1543V18-333BZI 是赛普拉斯（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于存储器类别。该器件为1.8V供电、2Mb（128K × 18位）配置，最大工作频率达333MHz（3ns读周期），采用119球BGA封装（ZI后缀表示工业级温度范围：–40°C 至 +85°C），支持QDR-II+接口（双数据率、源同步时钟、读写分离端口）。 典型应用场景包括： - 高速网络设备：如核心路由器、交换机中的包缓冲、查找表（LUT）、FIB缓存及流量管理单元，利用其低延迟与高带宽（单端口可达约1.2GB/s以上）满足线速转发需求； - 电信基础设施：基站基带处理单元（BBU）、SDH/OTN传输设备中用于实时信号处理的暂存与FIFO缓冲； - 高端测试测量仪器：逻辑分析仪、高速示波器的数据采集缓存，依赖其确定性访问时序与零等待周期特性； - 军事/工业嵌入式系统：在严苛温宽要求下提供可靠、抗辐射干扰的高速本地缓存（如雷达信号处理、实时控制模块）； - FPGA协处理器接口：常作为Xilinx或Intel FPGA的高速外挂存储器，用于加速图像处理、AI边缘推理等对吞吐敏感的任务。 需注意：该芯片已进入产品生命周期末期（EOL），新设计建议评估替代型号（如英飞凌QDR-IV系列或DDR4/LPDDR4方案），但现有系统仍广泛用于上述高可靠性、低延迟场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 72MBIT 333MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1543V18-333BZI |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（15x17） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 72M（4M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 105 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 333MHz |
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