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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CY7C1525KV18-300BZC
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1525KV18-300BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1525KV18-300BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1525KV18-300BZC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1525KV18-300BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1525KV18-300BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1525KV18-300BZC 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于1.8V低电压、300MHz（3.3ns访问时间）、2Mb（128K × 18位）QDR™ II+架构的双端口SRAM。其典型应用场景包括： - 高速网络设备：如万兆以太网交换机、路由器的数据包缓冲与查找表（LUT）、TCAM辅助缓存，利用QDR II+双数据速率、独立读/写端口特性实现无冲突并发访问。 - 通信基础设施：基站基带处理单元（BBU）、光传输设备（OTN/SDH）中的帧同步、FIFO缓存及实时信号处理中间存储，满足低延迟、高吞吐（最高达2.4 GB/s带宽）需求。 - 测试与测量仪器：高端示波器、逻辑分析仪的深度高速采样缓存，依赖其确定性访问时序和零等待周期特性保障精确时序捕获。 - 军工与航空电子：在抗辐射加固（需配合外部防护）或高可靠性工业系统中，用作FPGA/ASIC的高速本地内存或协处理器暂存区（工作温度范围–40°C ~ +85°C，符合工业级标准）。 该器件不适用于大容量长期存储（如Flash替代），亦非通用主存；其核心价值在于为需要纳秒级响应、持续高带宽读写的实时嵌入式系统提供确定性内存子系统支持。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 72MBIT 300MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49103 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1525KV18-300BZC |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47156 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 其它名称 | CY7C1525KV18300BZC |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 72M（8M x 9） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 300MHz |
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