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- 型号： CY7C1518V18-200BZC
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1518V18-200BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1518V18-200BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1518V18-200BZC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1518V18-200BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1518V18-200BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1518V18-200BZC 是 Cypress（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于1.8V低压、36Mb（2M×18位）容量的QDR™ II+（Quad Data Rate II Plus）存储器。其典型应用场景包括： - 高速网络设备：如万兆/40G以太网交换机、路由器中的数据包缓冲、查找表（LUT）、FIFO缓存，利用其双沿采样与四倍数据速率特性实现高吞吐（最高达800 MT/s）。 - 电信与基站设备：在5G基站基带处理单元（BBU）、CPRI/eCPRI接口模块中，用作FPGA或ASIC的低延迟、确定性访问缓存，支撑实时信号处理与帧同步。 - 测试测量仪器：高端示波器、逻辑分析仪等需高速采集与暂存大量时序数据的设备，依赖其纳秒级读写周期（tCLK=2.0ns）和无等待突发访问能力。 - 军事与航空航天电子系统：在雷达信号处理、电子战（EW）系统中，因其工业级温度范围（–40°C 至 +85°C）、高可靠性及抗单粒子翻转（SEU）设计（非加固但具稳健工艺），适用于严苛环境下的实时数据暂存。 该器件采用165-ball FBGA封装（13mm×15mm），支持多种功耗管理模式（如深度掉电），适用于对带宽、延迟和稳定性要求严苛的嵌入式实时系统。注意：已停产，现多由英飞凌兼容型号或新型QDR-IV SRAM替代。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 72MBIT 200MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1518V18-200BZC |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（15x17） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，DDR II |
| 存储容量 | 72M（4M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 105 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 200MHz |
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