Datasheet下载- 型号： CY7C1513KV18-300BZXC
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1513KV18-300BZXC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1513KV18-300BZXC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1513KV18-300BZXC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1513KV18-300BZXC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1513KV18-300BZXC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1513KV18-300BZXC 是 Cypress Semiconductor Corp（现属英飞凌 Technologies）推出的一款高性能同步静态RAM（SSRAM），属于存储器类别。该器件为1.8V供电、16Mbit（1M×16）的双端口SRAM，具备300MHz时钟频率（3.3ns周期）、QDR-II+架构，支持双数据速率读写，具有独立的读/写数据总线和地址总线，适合高带宽、低延迟应用。 典型应用场景包括： - 网络通信设备：如高速路由器、交换机中的包缓冲、队列管理及查找表（LUT）缓存； - 电信基础设施：基站基带处理单元（BBU）、光传输系统（OTN/SDH）中的帧缓存与FIFO； - 测试与测量仪器：高速逻辑分析仪、示波器的数据采集缓存，需实时大容量暂存； - 工业自动化与嵌入式系统：实时控制模块中对确定性低延迟访问有严苛要求的中间数据缓冲； - FPGA协处理器接口：作为FPGA外部高速缓存，配合DDR或HBM使用，弥补片上BRAM容量不足。 其BZXC后缀表示无铅、符合RoHS、商业级温度范围（0°C ~ +70°C）、采用165-ball FBGA封装，适用于空间受限但性能敏感的板级设计。需注意：该型号已进入产品生命周期末期（EOL），建议新设计评估英飞凌推荐替代型号（如PSRAM或新型QDR SRAM）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 72MBIT 300MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49104 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1513KV18-300BZXC |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47156 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 其它名称 | CY7C1513KV18300BZXC |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 72M（4M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 300MHz |
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