Datasheet下载- 型号： CY7C1512V18-250BZC
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1512V18-250BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1512V18-250BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1512V18-250BZC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1512V18-250BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1512V18-250BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1512V18-250BZC 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于1.8V低电压、18位数据总线、128K×18（2.3MB）容量的QDR-II+ SRAM。其主要应用场景包括： - 高速网络设备：如路由器、交换机、防火墙中的包缓冲、队列管理与查找表（LUT）缓存，得益于QDR-II+双数据速率架构（读/写独立端口、250MHz时钟下可达500MT/s），可满足线速转发需求。 - 电信基础设施：基站（BBU/RRU）、光传输设备（OTN、SDH/SONET）中用于信元/帧缓存、FIFO缓冲及实时信号处理中间数据暂存。 - 高端测试与测量仪器：逻辑分析仪、高速示波器等需大容量、纳秒级低延迟、确定性访问时间的场景，该器件典型读写周期为5ns（250MHz），无刷新延迟。 - 军事与航空电子系统：在高可靠性、宽温工业级版本（-40°C ~ +85°C）支持下，用于雷达信号处理、航电数据记录等对实时性与稳定性要求严苛的场合。 注：该器件已进入产品生命周期末期（EOL），Cypress官方建议迁移到英飞凌后续兼容方案（如PSRAM或新型QDR SRAM），新设计需评估替代选型。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 72MBIT 250MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1512V18-250BZC |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（15x17） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 72M（4M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 105 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 250MHz |
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