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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1426KV18-333BZC由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1426KV18-333BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1426KV18-333BZC封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CY7C1426KV18-333BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY7C1426KV18-333BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1426KV18-333BZC 是赛普拉斯(现属英飞凌)推出的高性能同步SRAM(静态随机存取存储器),属于“存储器”类别。该器件为18Mb(1024K × 18位)流水线型QDR-II+ SRAM,工作频率达333MHz(周期3.0ns),支持双数据速率(DDR)读写,具备独立读/写端口和突发访问能力。 其典型应用场景包括: - 高速网络设备:如核心路由器、交换机中的包缓冲、查找表(LUT)、队列管理及流量整形模块,利用其低延迟(<1个时钟周期访问)、高带宽(峰值带宽达12 Gbps)特性满足线速转发需求; - 通信基站与无线基础设施:用于5G基站的基带处理单元(BBU)中实时信号缓存、FFT/IFFT中间数据暂存及协议栈缓冲; - 高端测试仪器与FPGA协处理器系统:作为FPGA(如Xilinx UltraScale/Virtex或Intel Stratix)的外部高速缓存或数据流桥接存储,支撑实时图像处理、雷达信号处理等高吞吐应用; - 军事与航空电子系统:在要求高可靠性、宽温(-40°C~85°C,工业级)、抗辐射设计的场景中,用于关键任务数据暂存与实时控制缓冲。 该芯片采用165引脚FBGA封装(13×15mm),支持JTAG边界扫描与多种功耗管理模式,适用于对确定性延迟、并发读写及稳定性要求严苛的嵌入式实时系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 333MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49413 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1426KV18-333BZC |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47156 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA(13x15) |
| 其它名称 | CY7C1426KV18333BZC |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步,QDR II |
| 存储容量 | 36M(4M x 9) |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 333MHz |