Datasheet下载- 型号： CY7C1425JV18-267BZI
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1425JV18-267BZI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1425JV18-267BZI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1425JV18-267BZI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1425JV18-267BZI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1425JV18-267BZI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1425JV18-267BZI 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌 Technologies）推出的一款高性能同步静态随机存取存储器（SSRAM），属于QDR™ II+（Quad Data Rate II Plus）类型，容量为18Mb（512K × 36位），工作频率达267MHz（3.75ns周期），采用165-ball FBGA封装，工业级温度范围（–40°C 至 +85°C），并支持低功耗设计。 其典型应用场景包括： - 高速网络设备：如路由器、交换机、防火墙中的数据包缓冲、FIFO队列及查找表（LUT）缓存，得益于QDR II+双沿采样与独立读/写端口，可实现无冲突的并发读写操作； - 电信基础设施：基站基带处理、OTN/SDH传输设备中用于信元/帧缓存、速率适配和延迟补偿； - 高端测试测量仪器：逻辑分析仪、高速示波器等需实时采集与暂存大量高速数据的场景； - 军事与航空航天电子系统：因具备工业级温度耐受性与高可靠性，适用于雷达信号处理、航电数据记录等严苛环境； - FPGA协处理器接口：常作为Xilinx或Intel FPGA的高速外置缓存，配合SerDes或PCIe接口完成大数据吞吐任务。 该器件不适用于大容量、低成本存储（如Flash或DDR），而是专为对时序精度、带宽和确定性延迟要求极高的嵌入式实时系统而优化。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 267MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1425JV18-267BZI |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（15x17） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 36M（4M x 9） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 102 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 267MHz |
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