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产品简介:
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CY7C1425JV18-250BZXC 是 Cypress Semiconductor Corp(现属英飞凌科技)推出的高性能同步静态随机存取存储器(SSRAM),属于QDR™ II+(Quad Data Rate II Plus)类型,容量为18Mb(512K × 36位),工作频率达250MHz(周期时间4ns),采用165-ball FBGA封装。 该器件主要面向对带宽、低延迟和确定性时序要求严苛的高速数据处理场景。典型应用场景包括: - 网络通信设备:如高端路由器、交换机及网络处理器(NPU)中的数据包缓冲、队列管理与查找表(LUT)缓存; - 电信基础设施:基站基带处理单元(BBU)、光传输系统(OTN/SDH)中的FIFO缓存与速率匹配; - 测试与测量仪器:高速逻辑分析仪、示波器中用于实时数据采集与暂存; - 军事/航天嵌入式系统:需高可靠性、宽温范围(–40°C 至 +85°C)及抗辐射加固设计的信号处理模块(配合Cypress工业级认证版本)。 其QDR II+接口支持独立读/写端口、双倍数据率(DDR)读写操作,可实现高达2.0 Gbps的等效带宽,特别适合需要持续高吞吐、零等待状态的流水线式数据流应用。需注意:该型号已进入产品生命周期末期(EOL),新设计建议评估英飞凌推荐替代型号(如PSRAM或新型QDR III器件)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1425JV18-250BZXC |
| PCN过时产品 | http://www.cypress.com/?docID=18819 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA(15x17) |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步,QDR II |
| 存储容量 | 36M(4M x 9) |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 105 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 250MHz |