Datasheet下载- 型号： CY7C1425JV18-250BZI
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1425JV18-250BZI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1425JV18-250BZI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1425JV18-250BZI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1425JV18-250BZI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1425JV18-250BZI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1425JV18-250BZI 是 Cypress Semiconductor Corp（现属英飞凌 Technologies）推出的一款高性能同步静态随机存取存储器（SSRAM），属于QDR™ II+ SRAM系列。该器件为18位数据总线、2.5 Mbit（131,072 × 18）容量，工作频率达250 MHz（周期时间4 ns），支持双数据速率（DDR）读写，具备独立的读/写数据端口和地址端口，适用于高带宽、低延迟的缓冲与暂存场景。 典型应用场景包括： - 网络通信设备：在高端交换机、路由器及网络处理器（NPU）中用作数据包缓冲、FIFO缓存或查找表（如TCAM辅助缓存）； - 电信基础设施：基站基带处理单元（BBU）、OTN/SDH帧处理中的高速暂存与流量整形； - 测试与测量仪器：逻辑分析仪、高速示波器中实现深度实时数据采集与暂存； - 工业与医疗成像系统：用于图像传感器数据流水线中的高速帧缓冲，满足实时处理需求； - FPGA协处理系统：作为FPGA（如Xilinx UltraScale+或Intel Stratix 10）的外部高速缓存，弥补片上BRAM容量限制，提升吞吐效率。 其工业级温度范围（–40°C 至 +85°C）、符合RoHS的BGA封装（165-ball FBGA, 13×15 mm）及低功耗设计，也适配严苛环境下的嵌入式应用。需注意：该型号已进入产品生命周期末期（EOL），建议新设计评估英飞凌后续兼容替代方案（如PSRAM或新型QDR-IV器件）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1425JV18-250BZI |
| PCN过时产品 | http://www.cypress.com/?docID=18819 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（15x17） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 36M（4M x 9） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 105 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 250MHz |
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