Datasheet下载- 型号： CY7C14251KV18-250BZI
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C14251KV18-250BZI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C14251KV18-250BZI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C14251KV18-250BZI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C14251KV18-250BZI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C14251KV18-250BZI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C14251KV18-250BZI 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌 Technologies）推出的高性能同步静态RAM（SSRAM），属于存储器类别。该器件为1.8V供电、256-Mbit（16M×18位）QDR™ II+ SRAM，支持高达250MHz时钟频率（即500MT/s双数据率），具备低延迟、高带宽和突发读写能力。 典型应用场景包括： - 网络通信设备：用于高端路由器、交换机、基站中的数据包缓冲、FIFO、查找表（如TCAM辅助缓存）及流量管理； - 电信基础设施：在OTN、SDH/SONET、PTN等系统中承担信元/分组暂存与调度； - 测试与测量仪器：高速逻辑分析仪、协议分析仪中用作实时数据捕获缓存； - 军事与航天电子：因该型号为工业级扩展温度（–40°C 至 +85°C）且提供I级（含“ZI”后缀）无铅、符合RoHS的封装（165-ball BGA），适用于加固型嵌入式系统； - FPGA协处理器缓存：常与Xilinx或Intel FPGA搭配，作为高速片外缓存，提升数据吞吐效率（如视频处理、雷达信号预处理）。 其QDR II+架构支持独立读/写端口、无总线竞争、零等待周期突发访问，特别适合对确定性延迟和双向高并发带宽敏感的应用。需注意：该型号已进入Cypress产品生命周期末期（EOL），新设计建议评估英飞凌推荐替代型号（如PSRAM或新型QDR系列）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C14251KV18-250BZI |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 36M（4M x 9） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 119 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 250MHz |
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