Datasheet下载- 型号： CY7C1423KV18-300BZXC
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1423KV18-300BZXC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1423KV18-300BZXC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1423KV18-300BZXC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1423KV18-300BZXC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1423KV18-300BZXC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1423KV18-300BZXC 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于1.8V低电压、300MHz（3.3ns访问时间）、1M × 18位（18Mb）QDR II+架构的双端口SRAM。其典型应用场景包括： - 高速网络设备：用于路由器、交换机、防火墙中的数据包缓冲、FIFO队列、查找表（如TCAM辅助缓存）及流量管理，得益于QDR II+的独立读写端口与高带宽（单向300MHz，双向可达600MT/s），可满足线速处理需求。 - 通信基站与无线基础设施：在5G基带处理单元（BBU）、RRU中用作DSP/FPGA的高速暂存器，支持突发读写与低延迟访问，适配CPRI/eCPRI接口的数据缓存需求。 - 测试测量与高端仪器：在高速逻辑分析仪、示波器中作为深度采集缓存，实时捕获并暂存高速串行或并行数据流。 - 军事/航天与工业控制：凭借-40°C至+85°C工业级工作温度范围、符合JESD22可靠性标准及无刷新设计（SRAM特性），适用于抗辐射要求不极端但需高可靠性的嵌入式实时控制系统。 注：该器件已进入Cypress产品生命周期末期（EOL），当前多由英飞凌承接支持，新设计建议评估替代型号（如Infineon QDR IV系列），但存量设备仍广泛运行于上述场景中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 300MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49047 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1423KV18-300BZXC |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47156 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 其它名称 | CY7C1423KV18300BZXC |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，DDR II |
| 存储容量 | 36M（2M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 300MHz |
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