Datasheet下载- 型号： CY7C1420KV18-333BZI
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1420KV18-333BZI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1420KV18-333BZI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1420KV18-333BZI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1420KV18-333BZI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1420KV18-333BZI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1420KV18-333BZI 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于1.8V供电的18位×128K（2.3MB）QDR-II+ SRAM。其典型应用场景聚焦于对带宽、低延迟和确定性时序要求严苛的高速数据通路系统： - 网络通信设备：广泛用于高端路由器、交换机、防火墙及网络处理器（NPU）中，作为数据包缓冲、查找表（如TCAM辅助缓存）、队列管理或FIFO暂存，利用其双数据速率（QDR-II+）特性实现读写并发，支持高达333MHz时钟（666MT/s有效速率），满足线速转发需求。 - 电信基础设施：应用于基站基带处理单元（BBU）、光传输设备（OTN/SDH）中的信元/帧缓存、时隙交换缓冲等场景，凭借零等待、无刷新、纳秒级访问延迟（tAA ≈ 0.5ns）保障实时性。 - 测试与测量仪器：在高速逻辑分析仪、示波器采集内存中用作深度实时数据捕获缓冲，支持连续高速采样下的无缝存储。 - 军工与航空航天：该器件为工业级温度范围（–40°C 至 +85°C）且符合AEC-Q100（部分版本），适用于高可靠性嵌入式系统中的关键缓存层。 注：该型号已停产（EOL），当前设计建议评估英飞凌兼容替代方案（如PSRAM或新型QDR SRAM）。实际选型需结合功耗、封装（165-ball BGA）及信号完整性要求综合评估。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 333MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49046 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1420KV18-333BZI |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47156 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 其它名称 | CY7C1420KV18333BZI |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，DDR II |
| 存储容量 | 36M（1M x 36） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 333MHz |
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